本篇文章介【IT新闻】：每平方毫米一亿只晶体管，难产的英特尔10纳米工艺有多先进绍了，帮助大家深度了解互联网行业最新资讯动态。

集成电路技术经过几十年的高速发展之后，工艺发展速度已经逐渐放缓。特别是现在的集成电路加工工艺已经进入纳米时代，随着电路宽度越来越接近电子的波长，由于量子效应，电子隧穿现象的影响，要保持摩尔定律的快速发展已经越来越难。即便是对于业界的霸主Intel来说也一样。就在竞争对手AMD携手台积电推出7纳米制程工艺的CPU时，沿用多年14纳米工艺的Intel却迟迟未能发布下一代的10纳米工艺CPU。以Intel的技术来说，为何仅仅是跨越到10纳米工艺就如此艰难呢？是Intel的技术没有台积电先进么？首先明确一点，就是Intel和三星、台积电衡量制程工艺的标准有所不同。相比三星、台积电一味追求工艺尺度上的极致不同，Intel更严谨，更注重挖掘和追求每一代工艺的最高技术指标。这也是为何Intel一直宣称它所使用的14nm工艺就可以达到三星、台积电10nm工艺的水平，而Intel的10nm工艺就达到三星、台积电7nm工艺的水平。国外媒体分析的Intel 10nm芯片 有国外技术媒体分析了目前市面上唯一一款已经出货的Intel 10nmCPU，由联想IdeaPad330笔记本首发的Corei3-8121U。而从实际分析来看，Intel 10nm工艺的确达到了其宣称的水平。首先Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术，晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿颗，是目前14nm技术的2.7倍。而三星的10nm工艺晶体管密度只有每平方毫米5510万个，仅仅相当于Intel的一半，而7nm的晶体管密度也才刚刚超过Intel的10nm，每平方毫米1.0123亿个。而台积电的7nm工艺的晶体管密度比三星还低。由此可知，仅就晶体管密度而言，即便Intel的10nm工艺也已经和三星、台积电的7nm工艺处于同一水准，甚至更好。而同时Intel 10nm的最小栅极间距缩小到了54nm，最小金属间距缩小到了36nm，一样远胜对手。而就是由于intel追求这样的极致性能，导致10nm一直没能量产，而最新一次的调整，已经将量产日期延迟到2019年了。ASML光刻机光刻时的光路作为牙膏厂的Intel，这么多年一直通过缓慢的提升产品性能，来最大限度的榨取优势产品的价值。而这次AMD在工艺上的逆袭，可以说出乎了intel的意料，打乱了它的阵脚，才会在下一代工艺标准上迟迟不能突破。不过毕竟Intel的底蕴还在，只要10nm工艺能够量产，应该可以继续占据市场性能之王的宝座。不过有了AMD，intel再也不能继续挤牙膏了。而相比较国外这些芯片巨头的技术，我们国内的确还有很远的路要走。毕竟以前欠账太多，而对于做芯片而言，不但需要大量的资金和资源，还需要顶级的人才，而最重要的，芯片研发的路，道阻且长，需要有沉的住的心。而我们的社会能提供这样的环境么？对此你怎么看，欢迎留言讨论。【如果喜欢本文，请点赞支持或关注，您的关注是对小编最大的鼓励】    

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